TF2015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF2015
   Código: 338T*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF2015

TF2015 Datasheet (PDF)

..1. Size:659K cn tuofeng
tf2015.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2015TF2015 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.7A30.145 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATUREMARKING Equivalent CircuitTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount package338T wAPPLICATION

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