Справочник MOSFET. TF2015

 

TF2015 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TF2015
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TF2015

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TF2015 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  cn tuofeng
 tf2015.pdf pdf_icon

TF2015

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2015TF2015 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.7A30.145 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATUREMARKING Equivalent CircuitTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount package338T wAPPLICATION

Другие MOSFET... 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , 8N60 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | DMN3018SSS-13

 

 
Back to Top

 


 
.