TF2015 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TF2015
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для TF2015
TF2015 Datasheet (PDF)
tf2015.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2015TF2015 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.7A30.145 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATUREMARKING Equivalent CircuitTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount package338T wAPPLICATION
Другие MOSFET... 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , 8N60 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 .
History: IPB037N06N3G | WMJ53N60F2 | UT3N10L-K08-3030-R | UT2955G-AA3-R | 2SK3534-01MR | 3401A
History: IPB037N06N3G | WMJ53N60F2 | UT3N10L-K08-3030-R | UT2955G-AA3-R | 2SK3534-01MR | 3401A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet