TF2312 Todos los transistores

 

TF2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF2312
   Código: AE9TF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TF2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1104K  cn tuofeng
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TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2312N-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF2312V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.031@ 4.5V31.GATE20V0.037@ 2.5V 5.0A2.SOURCE3.DRAIN0.047@ 1.8V12General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitMARKINGLead free product is acquiredSurface mount packageAE9TF wA

 9.1. Size:3261K  cn tuofeng
 tf2310.pdf pdf_icon

TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2310N-Channel 60-V(D-S) MOSFETTF2310V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.090@ 10V360V3.0 A1.GATE0.120@ 4.5 V2.SOURCE3.DRAIN12General Features VDS =60V,ID =3A RDS(ON)

 9.2. Size:2849K  cn tuofeng
 tf2317.pdf pdf_icon

TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2317TF2317 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.028@-4.5V30.038@-2.5V -4.5A-20V1.GATE2.SOURCE0.050 @-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packagew

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