TF2312 Todos los transistores

 

TF2312 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF2312

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF2312 datasheet

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TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2312 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET TF2312 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.031 @ 4.5V 3 1.GATE 20V 0.037 @ 2.5V 5.0A 2.SOURCE 3.DRAIN 0.047 @ 1.8V 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING Lead free product is acquired Surface mount package AE9TF w A

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TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2310 N-Channel 60-V(D-S) MOSFET TF2310 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.090 @ 10V 3 60V 3.0 A 1.GATE 0.120 @ 4.5 V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General Features VDS =60V,ID =3A RDS(ON)

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TF2312

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2317 TF2317 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23-3L 0.028 @-4.5V 3 0.038 @-2.5V -4.5A -20V 1.GATE 2.SOURCE 0.050 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package w

Otros transistores... S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , RU7088R , TF2317 , TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 .

History: SLP6N70U | FTA07N60 | FDC8878 | LSD60R099HT | LF2802A | TK10A50W | IRLL2705PBF

 

 

 

 

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