TF2312 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TF2312
Маркировка: AE9TF*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.85 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.031 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TF2312 Datasheet (PDF)
tf2312.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2312N-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF2312V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.031@ 4.5V31.GATE20V0.037@ 2.5V 5.0A2.SOURCE3.DRAIN0.047@ 1.8V12General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitMARKINGLead free product is acquiredSurface mount packageAE9TF wA
tf2310.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2310N-Channel 60-V(D-S) MOSFETTF2310V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.090@ 10V360V3.0 A1.GATE0.120@ 4.5 V2.SOURCE3.DRAIN12General Features VDS =60V,ID =3A RDS(ON)
tf2317.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2317TF2317 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.028@-4.5V30.038@-2.5V -4.5A-20V1.GATE2.SOURCE0.050 @-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packagew
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
