TF2369 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF2369  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF2369 datasheet

 ..1. Size:1363K  cn tuofeng
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TF2369

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-3LPlastic-Encapsulate MOSFETS TF2369 TF2369 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY SOT-23-3L VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) 0.029 at VGS = - 10 V - 5.4 3 0.034 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 1.GATE 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.6 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET Lead free product i

 9.1. Size:193K  st
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TF2369

2STF2360 Low voltage fast-switching PNP power transistors Datasheet - production data Applications 4 Emergency lighting 3 2 LED 1 Voltage regulation Relay drive SOT-89 Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is PNP transistor manufactured using new PB-HDC (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor sho

 9.2. Size:283K  st
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TF2369

2STD2360 2STF2360 - 2STN2360 Low voltage fast-switching PNP power transistors Features 4 Very low collector-emitter saturation voltage 4 High current gain characteristic 3 3 2 2 Fast-switching speed 1 1 SOT-223 SOT-89 Applications TAB Emergency lighting LED 3 Voltage regulation 1 Relay drive TO-252 (DPAK) Description Figure 1. Internal schem

Otros transistores... TF2301A, TF2302A, TF2307, TF2312, TF2317, TF2323, TF2333, TF2341, IRFP064N, TF3404, TF3410, TF3420, TF68N75, TF68N80, RFM04U6P, SSM3J351R, SSM3J356R