TF2369 Todos los transistores

 

TF2369 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF2369
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TF2369 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  cn tuofeng
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TF2369

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3LPlastic-Encapsulate MOSFETSTF2369TF2369 P-Channel 30-V(D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY SOT-23-3LVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)0.029 at VGS = - 10 V - 5.430.034 at VGS = - 6 V - 30 - 5.01.GATE0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.62.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product i

 9.1. Size:193K  st
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TF2369

2STF2360Low voltage fast-switching PNP power transistorsDatasheet - production dataApplications4 Emergency lighting32 LED1 Voltage regulation Relay drive SOT-89DescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is PNP transistor manufactured using new PB-HDC (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor sho

 9.2. Size:283K  st
 2std2360 2stf2360 2stn2360.pdf pdf_icon

TF2369

2STD23602STF2360 - 2STN2360Low voltage fast-switching PNP power transistorsFeatures4 Very low collector-emitter saturation voltage4 High current gain characteristic 3322 Fast-switching speed 11 SOT-223 SOT-89ApplicationsTAB Emergency lighting LED3 Voltage regulation1 Relay drive TO-252 (DPAK)DescriptionFigure 1. Internal schem

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History: HM2310C | AO7412

 

 
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