TF2369 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF2369
Código: H96TF*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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TF2369 Datasheet (PDF)
tf2369.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3LPlastic-Encapsulate MOSFETSTF2369TF2369 P-Channel 30-V(D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY SOT-23-3LVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)0.029 at VGS = - 10 V - 5.430.034 at VGS = - 6 V - 30 - 5.01.GATE0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.62.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product i
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History: IPD90N04S3-H4
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