TF2369 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TF2369
Маркировка: H96TF*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TF2369 Datasheet (PDF)
tf2369.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-3LPlastic-Encapsulate MOSFETSTF2369TF2369 P-Channel 30-V(D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY SOT-23-3LVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)0.029 at VGS = - 10 V - 5.430.034 at VGS = - 6 V - 30 - 5.01.GATE0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.62.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product i
2stf2360.pdf
2STF2360Low voltage fast-switching PNP power transistorsDatasheet - production dataApplications4 Emergency lighting32 LED1 Voltage regulation Relay drive SOT-89DescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is PNP transistor manufactured using new PB-HDC (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor sho
2std2360 2stf2360 2stn2360.pdf
2STD23602STF2360 - 2STN2360Low voltage fast-switching PNP power transistorsFeatures4 Very low collector-emitter saturation voltage4 High current gain characteristic 3322 Fast-switching speed 11 SOT-223 SOT-89ApplicationsTAB Emergency lighting LED3 Voltage regulation1 Relay drive TO-252 (DPAK)DescriptionFigure 1. Internal schem
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CHM2313GP-A
