TF68N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF68N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 TO220H
TF68N80 Datasheet (PDF)
tf68n80.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdTF68N80POWER MOSFET Features 68V,80A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GG High ruggedness GDD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units
tf68n75.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETTF68N75POWER MOSFET Features 68V,75A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDSTO-220
Otros transistores... TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , IRF740 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R , SSM3K345R , SSM3K35AMFV .
Liste
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