TF68N80 Todos los transistores

 

TF68N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF68N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 TO220H
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TF68N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1325K  cn tuofeng
 tf68n80.pdf pdf_icon

TF68N80

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdTF68N80POWER MOSFET Features 68V,80A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GG High ruggedness GDD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units

 9.1. Size:4008K  cn tuofeng
 tf68n75.pdf pdf_icon

TF68N80

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETTF68N75POWER MOSFET Features 68V,75A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDSTO-220

Otros transistores... TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , IRF740 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R , SSM3K345R , SSM3K35AMFV .

 

 
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