TF68N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TF68N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263 TO220H
Аналог (замена) для TF68N80
TF68N80 Datasheet (PDF)
tf68n80.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdTF68N80POWER MOSFET Features 68V,80A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GG High ruggedness GDD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units
tf68n75.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETTF68N75POWER MOSFET Features 68V,75A N-Channel MOSFET RDS(on)(typ.)=6.5m@VGS=10V GGD High ruggedness GD Fast switching TO-263S STO-220H 100% avalanche tested Exceptional dv/dt capability Applications Switching application GDSTO-220
Другие MOSFET... TF2323 , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , IRF740 , RFM04U6P , SSM3J351R , SSM3J356R , SSM3J358R , SSM3J56ACT , SSM3K344R , SSM3K345R , SSM3K35AMFV .
History: RE1C002ZP | SSF6NS70UD | AO7412 | SFS06R02GF | SFW107N200C3 | AP9467AGM
History: RE1C002ZP | SSF6NS70UD | AO7412 | SFS06R02GF | SFW107N200C3 | AP9467AGM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet