RFM04U6P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFM04U6P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 3 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: SC62
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RFM04U6P datasheet
rfm04u6p.pdf
RFM04U6P TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RFM04U6P VHF- and UHF-band Amplifier Applications Unit mm (Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thi
irfm044.pdf
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