RFM04U6P Todos los transistores

 

RFM04U6P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM04U6P
   Código: W*F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC62

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RFM04U6P Datasheet (PDF)

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PD - 90708BIRFM044POWER MOSFET60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

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