RFM04U6P Todos los transistores

 

RFM04U6P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM04U6P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 3 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC62
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFM04U6P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  toshiba
 rfm04u6p.pdf pdf_icon

RFM04U6P

RFM04U6P TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RFM04U6P VHF- and UHF-band Amplifier Applications Unit: mm(Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thi

 9.1. Size:189K  international rectifier
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RFM04U6P

PD - 90708BIRFM044POWER MOSFET60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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