Справочник MOSFET. RFM04U6P

 

RFM04U6P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM04U6P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SC62
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM04U6P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  toshiba
 rfm04u6p.pdf pdf_icon

RFM04U6P

RFM04U6P TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RFM04U6P VHF- and UHF-band Amplifier Applications Unit: mm(Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thi

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfm044.pdf pdf_icon

RFM04U6P

PD - 90708BIRFM044POWER MOSFET60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MS5N60 | STB80NF03L-04 | CJS9004 | MDIB6N70CTH | IRL2505 | SI3433CDV | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.