RFM04U6P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFM04U6P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 3 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SC62

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RFM04U6P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM04U6P даташит

 ..1. Size:213K  toshiba
 rfm04u6p.pdf pdf_icon

RFM04U6P

RFM04U6P TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RFM04U6P VHF- and UHF-band Amplifier Applications Unit mm (Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thi

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfm044.pdf pdf_icon

RFM04U6P

PD - 90708B IRFM044 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM044 0.04 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET

Другие IGBT... TF2333, TF2341, TF2369, TF3404, TF3410, TF3420, TF68N75, TF68N80, IRF840, SSM3J351R, SSM3J356R, SSM3J358R, SSM3J56ACT, SSM3K344R, SSM3K345R, SSM3K35AMFV, SSM3K361R