Справочник MOSFET. RFM04U6P

 

RFM04U6P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFM04U6P
   Маркировка: W*F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 16 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 3 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
   Тип корпуса: SC62

 Аналог (замена) для RFM04U6P

 

 

RFM04U6P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  toshiba
 rfm04u6p.pdf

RFM04U6P RFM04U6P

RFM04U6P TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RFM04U6P VHF- and UHF-band Amplifier Applications Unit: mm(Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thi

 9.1. Size:189K  international rectifier
 irfm044.pdf

RFM04U6P RFM04U6P

PD - 90708BIRFM044POWER MOSFET60V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM044 0.04 35A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top