TK750A60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK750A60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK750A60F

TK750A60F Datasheet (PDF)

..1. Size:459K toshiba
tk750a60f.pdf

TK750A60FMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK750A60FTK750A60FTK750A60FTK750A60F1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Power Supplies2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Easy to control Gate switching(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.62 (typ.)(3) Enhancement mode: Vth = 2 to 4 V (VDS = 10 V,

9.1. Size:566K first silicon
ftk7509.pdf

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Liste

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