TK750A60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK750A60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO220F
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TK750A60F datasheet
tk750a60f.pdf
TK750A60F MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK750A60F TK750A60F TK750A60F TK750A60F 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Power Supplies 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Easy to control Gate switching (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.62 (typ.) (3) Enhancement mode Vth = 2 to 4 V (VDS = 10 V,
ftk7509.pdf
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History: APM8005K
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