TK750A60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK750A60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK750A60F
TK750A60F Datasheet (PDF)
tk750a60f.pdf
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TK750A60FMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK750A60FTK750A60FTK750A60FTK750A60F1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Power Supplies2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Easy to control Gate switching(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.62 (typ.)(3) Enhancement mode: Vth = 2 to 4 V (VDS = 10 V,
ftk7509.pdf
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