TK750A60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK750A60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TK750A60F Datasheet (PDF)
tk750a60f.pdf

TK750A60FMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK750A60FTK750A60FTK750A60FTK750A60F1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Power Supplies2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Easy to control Gate switching(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.62 (typ.)(3) Enhancement mode: Vth = 2 to 4 V (VDS = 10 V,
ftk7509.pdf

SEMICONDUCTOR FTK7509TECHNICAL DATA Feathers:ID=80A Advanced trench process technologyBV=80V Special designed for Convertors and power controlsRdson=6.3m (Typ.) High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage and current Avalanche Energy 100% test Description:The FTK7509 is a new generation of middle voltage and hig
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet