TPH2900ENH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPH2900ENH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de TPH2900ENH MOSFET
TPH2900ENH Datasheet (PDF)
tph2900enh.pdf

TPH2900ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista
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History: HPW750N20SPA | NCE65T680D | HSO8810 | IRF6218S | FQA55N10 | WMN14N65C4 | NCEA75H25
History: HPW750N20SPA | NCE65T680D | HSO8810 | IRF6218S | FQA55N10 | WMN14N65C4 | NCEA75H25



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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