TPH2900ENH - описание и поиск аналогов

 

TPH2900ENH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPH2900ENH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TPH2900ENH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPH2900ENH даташит

 ..1. Size:265K  toshiba
 tph2900enh.pdf pdf_icon

TPH2900ENH

TPH2900ENH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPH2900ENH TPH2900ENH TPH2900ENH TPH2900ENH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 8.2 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resista

Другие MOSFET... TK380P60Y , TK380P65Y , TK750A60F , TPCA8123 , TPH1500CNH , TPH1R306PL , TPH1R403NL , TPH1R712MD , IRF630 , TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL .

History: 2SK746 | IPA037N08N3 | EC4953

 

 

 

 

↑ Back to Top
.