Справочник MOSFET. TPH2900ENH

 

TPH2900ENH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPH2900ENH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TPH2900ENH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPH2900ENH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  toshiba
 tph2900enh.pdf pdf_icon

TPH2900ENH

TPH2900ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

Другие MOSFET... TK380P60Y , TK380P65Y , TK750A60F , TPCA8123 , TPH1500CNH , TPH1R306PL , TPH1R403NL , TPH1R712MD , 7N65 , TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL .

History: SHD231006 | AO4705

 

 
Back to Top

 


 
.