TPH2R608NH Todos los transistores

 

TPH2R608NH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPH2R608NH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TPH2R608NH datasheet

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TPH2R608NH

TPH2R608NH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPH2R608NH TPH2R608NH TPH2R608NH TPH2R608NH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 28 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistan

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TPH2R608NH

TPH2R306NH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPH2R306NH TPH2R306NH TPH2R306NH TPH2R306NH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 26 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resis

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History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N

 

 

 

 

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