TPH2R608NH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPH2R608NH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPH2R608NH
TPH2R608NH Datasheet (PDF)
tph2r608nh.pdf
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