TPH2R608NH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPH2R608NH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPH2R608NH

TPH2R608NH Datasheet (PDF)

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tph2r608nh.pdf

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9.1. Size:235K toshiba
tph2r306nh.pdf

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Liste

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