TPH2R608NH Todos los transistores

 

TPH2R608NH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPH2R608NH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

TPH2R608NH Datasheet (PDF)

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TPH2R608NH

TPH2R608NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan

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TPH2R608NH

TPH2R306NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

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History: 2SK2931

 

 
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