Справочник MOSFET. TPH2R608NH

 

TPH2R608NH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPH2R608NH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TPH2R608NH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPH2R608NH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tph2r608nh.pdf pdf_icon

TPH2R608NH

TPH2R608NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan

 9.1. Size:235K  toshiba
 tph2r306nh.pdf pdf_icon

TPH2R608NH

TPH2R306NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

Другие MOSFET... TK380P65Y , TK750A60F , TPCA8123 , TPH1500CNH , TPH1R306PL , TPH1R403NL , TPH1R712MD , TPH2900ENH , K3569 , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , TPHR6503PL , TPHR9003NL .

History: IRLB3813PBF | IRLML5203PBF-1 | S80N10R

 

 
Back to Top

 


 
.