TPH2R608NH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPH2R608NH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPH2R608NH
TPH2R608NH Datasheet (PDF)
tph2r608nh.pdf
TPH2R608NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NHTPH2R608NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan
tph2r306nh.pdf
TPH2R306NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NHTPH2R306NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918