TPHR6503PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPHR6503PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de TPHR6503PL MOSFET
TPHR6503PL Datasheet (PDF)
tphr6503pl.pdf

TPHR6503PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 30 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =
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History: MTP12P06 | STL11N3LLH6 | WMK119N12HG4 | HB3710P | SI4435DY | SIR876ADP | WMK028N10HGS
History: MTP12P06 | STL11N3LLH6 | WMK119N12HG4 | HB3710P | SI4435DY | SIR876ADP | WMK028N10HGS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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