Справочник MOSFET. TPHR6503PL

 

TPHR6503PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPHR6503PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TPHR6503PL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPHR6503PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  toshiba
 tphr6503pl.pdf pdf_icon

TPHR6503PL

TPHR6503PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 30 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

Другие MOSFET... TPH2900ENH , TPH2R608NH , TPH3R506PL , TPH3R704PL , TPH3R70APL , TPH4R008NH , TPH4R10ANL , TPH8R008NH , 5N60 , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH .

History: WMM10N100C2 | SI7110DN | SSB65R360S2E | IPS60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.