TPHR6503PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPHR6503PL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 2720 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00065 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPHR6503PL
TPHR6503PL Datasheet (PDF)
..1. Size:607K toshiba
tphr6503pl.pdf
tphr6503pl.pdf
TPHR6503PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 30 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
