Справочник MOSFET. TPHR6503PL

 

TPHR6503PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPHR6503PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPHR6503PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  toshiba
 tphr6503pl.pdf pdf_icon

TPHR6503PL

TPHR6503PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PLTPHR6503PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 30 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.