TPN11006NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPN11006NL
   Código: 11006NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0114 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPN11006NL

TPN11006NL Datasheet (PDF)

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tpn11006nl.pdf

TPN11006NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11006NLTPN11006NLTPN11006NLTPN11006NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 6.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resi

7.1. Size:231K toshiba
tpn11003nl.pdf

TPN11003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11003NLTPN11003NLTPN11003NLTPN11003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1

9.1. Size:234K toshiba
tpn1110enh.pdf

TPN1110ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

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History: IXTH10N100D2

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