Справочник MOSFET. TPN11006NL

 

TPN11006NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPN11006NL
   Маркировка: 11006NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0114 Ohm
   Тип корпуса: TSON8

 Аналог (замена) для TPN11006NL

 

 

TPN11006NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tpn11006nl.pdf

TPN11006NL TPN11006NL

TPN11006NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11006NLTPN11006NLTPN11006NLTPN11006NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 6.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resi

 7.1. Size:231K  toshiba
 tpn11003nl.pdf

TPN11006NL TPN11006NL

TPN11003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN11003NLTPN11003NLTPN11003NLTPN11003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1

 9.1. Size:234K  toshiba
 tpn1110enh.pdf

TPN11006NL TPN11006NL

TPN1110ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENHTPN1110ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top