TPW4R50ANH Todos los transistores

 

TPW4R50ANH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPW4R50ANH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: DSOP8

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TPW4R50ANH datasheet

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TPW4R50ANH

TPW4R50ANH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPW4R50ANH TPW4R50ANH TPW4R50ANH TPW4R50ANH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 22 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resis

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TPW4R50ANH

TPW4R008NH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPW4R008NH TPW4R008NH TPW4R008NH TPW4R008NH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 18 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resis

Otros transistores... TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , 13N50 , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG .

History: WML13N65EM | WMO14N60C4

 

 

 

 

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