TPW4R50ANH Todos los transistores

 

TPW4R50ANH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPW4R50ANH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSOP8
 

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TPW4R50ANH Datasheet (PDF)

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TPW4R50ANH

TPW4R50ANHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

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TPW4R50ANH

TPW4R008NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 18 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

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History: 2SK1592 | VN99AK | WMK06N80M3 | AP9977GJV | SIHP17N80E | SI4804CDY | WML13N65EM

 

 
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