TPW4R50ANH - описание и поиск аналогов

 

TPW4R50ANH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPW4R50ANH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DSOP8

Аналог (замена) для TPW4R50ANH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPW4R50ANH даташит

 ..1. Size:777K  toshiba
 tpw4r50anh.pdf pdf_icon

TPW4R50ANH

TPW4R50ANH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPW4R50ANH TPW4R50ANH TPW4R50ANH TPW4R50ANH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 22 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resis

 9.1. Size:774K  toshiba
 tpw4r008nh.pdf pdf_icon

TPW4R50ANH

TPW4R008NH MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPW4R008NH TPW4R008NH TPW4R008NH TPW4R008NH 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 18 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resis

Другие MOSFET... TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , 13N50 , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.