TPW4R50ANH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPW4R50ANH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: DSOP8
TPW4R50ANH Datasheet (PDF)
tpw4r50anh.pdf

TPW4R50ANHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis
tpw4r008nh.pdf

TPW4R008NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 18 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis
Другие MOSFET... TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TK10A60D , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG .
History: SM2403PSAN | SSP70R450S2 | PD533BA
History: SM2403PSAN | SSP70R450S2 | PD533BA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet