Справочник MOSFET. TPW4R50ANH

 

TPW4R50ANH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPW4R50ANH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DSOP8
 

 Аналог (замена) для TPW4R50ANH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPW4R50ANH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:777K  toshiba
 tpw4r50anh.pdf pdf_icon

TPW4R50ANH

TPW4R50ANHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANHTPW4R50ANH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

 9.1. Size:774K  toshiba
 tpw4r008nh.pdf pdf_icon

TPW4R50ANH

TPW4R008NHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NHTPW4R008NH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 18 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resis

Другие MOSFET... TPHR6503PL , TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TK10A60D , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG .

History: SWHA80N08V1 | AP4435 | VS3640DB | IRFR3806PBF | NCE0202ZA | IRLIZ14GPBF | SFB077N150C2

 

 
Back to Top

 


 
.