TPWR8503NL Todos los transistores

 

TPWR8503NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPWR8503NL
   Código: K31*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 74 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DSOP8

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TPWR8503NL Datasheet (PDF)

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TPWR8503NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan

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TPWR8004PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

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