TPWR8503NL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPWR8503NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
Тип корпуса: DSOP8
Аналог (замена) для TPWR8503NL
TPWR8503NL Datasheet (PDF)
tpwr8503nl.pdf
TPWR8503NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan
tpwr8004pl.pdf
TPWR8004PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =
Другие MOSFET... TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , AON7410 , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN .
History: PTQ45P02 | NDP05N50Z | IXFT40N85XHV
History: PTQ45P02 | NDP05N50Z | IXFT40N85XHV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530



