Справочник MOSFET. TPWR8503NL

 

TPWR8503NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPWR8503NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
   Тип корпуса: DSOP8
 

 Аналог (замена) для TPWR8503NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPWR8503NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  toshiba
 tpwr8503nl.pdf pdf_icon

TPWR8503NL

TPWR8503NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan

 9.1. Size:497K  toshiba
 tpwr8004pl.pdf pdf_icon

TPWR8503NL

TPWR8004PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

Другие MOSFET... TPHR9003NL , TPN11003NL , TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , RFP50N06 , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN .

 

 
Back to Top

 


 
.