Справочник MOSFET. TPWR8503NL

 

TPWR8503NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPWR8503NL
   Маркировка: K31*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
   Тип корпуса: DSOP8

 Аналог (замена) для TPWR8503NL

 

 

TPWR8503NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  toshiba
tpwr8503nl.pdf

TPWR8503NL
TPWR8503NL

TPWR8503NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NLTPWR8503NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistan

 9.1. Size:497K  toshiba
tpwr8004pl.pdf

TPWR8503NL
TPWR8503NL

TPWR8004PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PLTPWR8004PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)(3) Small output charge: Qoss =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top