WSC40N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSC40N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TO251
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WSC40N06 datasheet
wsc40n06.pdf
WSC40N06 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSC40N06 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 60V 20m 50A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC40N06 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
Otros transistores... TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , 5N65 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 .
History: CS730FA9RD | 2SK1313L
History: CS730FA9RD | 2SK1313L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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