Справочник MOSFET. WSC40N06

 

WSC40N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSC40N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WSC40N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC40N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:976K  winsok
 wsc40n06.pdf pdf_icon

WSC40N06

WSC40N06 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSC40N06 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 60V 20m 50Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC40N06 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , 4435 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 .

History: WSP4805 | ISCNL343D

 

 
Back to Top

 


 
.