WSC40N06 - описание и поиск аналогов

 

WSC40N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSC40N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для WSC40N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC40N06 даташит

 ..1. Size:976K  winsok
 wsc40n06.pdf pdf_icon

WSC40N06

WSC40N06 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSC40N06 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 60V 20m 50A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC40N06 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... TPN11006NL , TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , 5N65 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 .

History: 2SK2957L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.