WSC5N20A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSC5N20A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: TO251
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WSC5N20A datasheet
wsc5n20a.pdf
WSC5N20A N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSC5N20A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 200V 5A 0.6 and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC5N20A meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Telecom
Otros transistores... TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , IRF1010E , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 .
History: WSD2012DN25 | 2SK1335L
History: WSD2012DN25 | 2SK1335L
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Liste
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