Справочник MOSFET. WSC5N20A

 

WSC5N20A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSC5N20A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WSC5N20A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC5N20A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2590K  winsok
 wsc5n20a.pdf pdf_icon

WSC5N20A

WSC5N20AN-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSC5N20A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 200V 5A0.6and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC5N20A meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Telecom

Другие MOSFET... TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , IRF530 , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 .

History: FDI045N10A | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH

 

 
Back to Top

 


 
.