WSC5N20A - описание и поиск аналогов

 

WSC5N20A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSC5N20A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для WSC5N20A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC5N20A даташит

 ..1. Size:2590K  winsok
 wsc5n20a.pdf pdf_icon

WSC5N20A

WSC5N20A N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSC5N20A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 200V 5A 0.6 and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC5N20A meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Telecom

Другие MOSFET... TPN1R603PL , TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , IRF1010E , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 .

History: VS4N65CD | 2N4003K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.