WSC60N03 Todos los transistores

 

WSC60N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSC60N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: TO251

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WSC60N03 datasheet

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WSC60N03

WSC60N03 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSC60N03 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 4.1m 60A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC60N03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

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