WSC60N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSC60N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 16.8 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0057 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSC60N03
WSC60N03 Datasheet (PDF)
wsc60n03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WSC60N03N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSC60N03 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 4.1m 60Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC60N03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .