WSC60N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSC60N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.8 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0057 Ohm
Тип корпуса: TO251
WSC60N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:580K winsok
wsc60n03.pdf
wsc60n03.pdf
WSC60N03N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSC60N03 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 4.1m 60Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC60N03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SWB7N65DW
