Справочник MOSFET. WSC60N03

 

WSC60N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSC60N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для WSC60N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSC60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  winsok
 wsc60n03.pdf pdf_icon

WSC60N03

WSC60N03N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSC60N03 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 4.1m 60Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSC60N03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... TPN2R203NC , TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , AON7506 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 .

 

 
Back to Top

 


 
.