WSD100N06GDN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSD100N06GDN56
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1522 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6A-8-EP
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WSD100N06GDN56 Datasheet (PDF)
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WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryBVDSS RDSON IDThe WSD100N06GDN56 is the SGT MOSFET with extreme high cell density,which provide 60V 100A3.0mexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications .Applications Secondary Side Synchronous RectificationThe WSD100N06GDN56 meet the RoHS and Green Product requi
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