WSD100N06GDN56 Todos los transistores

 

WSD100N06GDN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSD100N06GDN56
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1522 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6A-8-EP
 

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WSD100N06GDN56 Datasheet (PDF)

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WSD100N06GDN56

WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryBVDSS RDSON IDThe WSD100N06GDN56 is the SGT MOSFET with extreme high cell density,which provide 60V 100A3.0mexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications .Applications Secondary Side Synchronous RectificationThe WSD100N06GDN56 meet the RoHS and Green Product requi

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History: IRLU3915 | ISCD3NK80Z | SFP3710G | NP2301AMR-G | SWF6N80D | SSP90R900S2

 

 
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