WSD100N06GDN56 Todos los transistores

 

WSD100N06GDN56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSD100N06GDN56

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1522 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: DFN5X6A-8-EP

 Búsqueda de reemplazo de WSD100N06GDN56 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WSD100N06GDN56 datasheet

 ..1. Size:2069K  winsok
 wsd100n06gdn56.pdf pdf_icon

WSD100N06GDN56

WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery BVDSS RDSON ID The WSD100N06GDN56 is the SGT MOSFET with extreme high cell density,which provide 60V 100A 3.0m excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications Secondary Side Synchronous Rectification The WSD100N06GDN56 meet the RoHS and Green Product requi

Otros transistores... TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , AON6380 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN .

History: WMK099N10LG2 | CS6N60A3HDY | WMP13N65EM | BUK7624-55 | 2SJ319 | WML13N70EM | IRLZ44ZL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.