WSD100N06GDN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD100N06GDN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD100N06GDN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP

Аналог (замена) для WSD100N06GDN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD100N06GDN56 даташит

 ..1. Size:2069K  winsok
 wsd100n06gdn56.pdf pdf_icon

WSD100N06GDN56

WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery BVDSS RDSON ID The WSD100N06GDN56 is the SGT MOSFET with extreme high cell density,which provide 60V 100A 3.0m excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications Secondary Side Synchronous Rectification The WSD100N06GDN56 meet the RoHS and Green Product requi

Другие MOSFET... TPN3R704PL , TPN6R303NC , TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , AON6380 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN .

History: SM1501GSQH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.