Справочник MOSFET. WSD100N06GDN56

 

WSD100N06GDN56 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD100N06GDN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1522 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6A-8-EP

 Аналог (замена) для WSD100N06GDN56

 

 

WSD100N06GDN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2069K  winsok
 wsd100n06gdn56.pdf

WSD100N06GDN56 WSD100N06GDN56

WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryBVDSS RDSON IDThe WSD100N06GDN56 is the SGT MOSFET with extreme high cell density,which provide 60V 100A3.0mexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications .Applications Secondary Side Synchronous RectificationThe WSD100N06GDN56 meet the RoHS and Green Product requi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top