WSD14N10DNG Todos los transistores

 

WSD14N10DNG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSD14N10DNG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WSD14N10DNG Datasheet (PDF)

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WSD14N10DNG

WSD14N10DNG N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD14N10DNG is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 100V 140m 14Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD14N10DNG meet the RoHS and Green Battery protection Product r

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History: MMF70R600PTH | STK28N3LLH5 | NCEAP40T17AD | 2N6659-2 | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25

 

 
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