WSD14N10DNG Todos los transistores

 

WSD14N10DNG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSD14N10DNG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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WSD14N10DNG datasheet

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WSD14N10DNG

WSD14N10DNG N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD14N10DNG is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 100V 140m 14A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD14N10DNG meet the RoHS and Green Battery protection Product r

Otros transistores... TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , CS150N03A8 , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 .

History: IRFB4610 | VSA007N02KD | IRFL4315PBF | TPCP8303 | TPCP8204 | WMM07N80M3

 

 

 

 

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