Справочник MOSFET. WSD14N10DNG

 

WSD14N10DNG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD14N10DNG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD14N10DNG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2218K  winsok
 wsd14n10dng.pdf pdf_icon

WSD14N10DNG

WSD14N10DNG N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD14N10DNG is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 100V 140m 14Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD14N10DNG meet the RoHS and Green Battery protection Product r

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.