WSD14N10DNG - описание и поиск аналогов

 

WSD14N10DNG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD14N10DNG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для WSD14N10DNG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD14N10DNG даташит

 ..1. Size:2218K  winsok
 wsd14n10dng.pdf pdf_icon

WSD14N10DNG

WSD14N10DNG N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD14N10DNG is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 100V 140m 14A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD14N10DNG meet the RoHS and Green Battery protection Product r

Другие MOSFET... TPW4R50ANH , TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , CS150N03A8 , WSD1614DN , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 .

History: IRFZ20FI | SM1A23NSK | DMN63D8L | IRFI4228 | STP6N25FI | DMN3009LFVW-7 | CS4N65A3R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.