Справочник MOSFET. WSD14N10DNG

 

WSD14N10DNG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD14N10DNG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для WSD14N10DNG

 

 

WSD14N10DNG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2218K  winsok
 wsd14n10dng.pdf

WSD14N10DNG WSD14N10DNG

WSD14N10DNG N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD14N10DNG is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 100V 140m 14Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD14N10DNG meet the RoHS and Green Battery protection Product r

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top