WSD1614DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSD1614DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Encapsulados: DFN1.0X0.6-3L
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WSD1614DN datasheet
wsd1614dn.pdf
WSD1614DN N-Ch MOSFET Description Product Summery The WSD1614DN uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID to provide excellent RDS(ON), low gate charge 20V 230m 1.4A and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery Application protection or in other Switching application. Battery protection Load switch Features DFN1.0X0.6-3L P
Otros transistores... TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , NCEP15T14 , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 , WSD2075DN .
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Liste
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