WSD1614DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WSD1614DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1.0X0.6-3L

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WSD1614DN Datasheet (PDF)

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wsd1614dn.pdf

WSD1614DNN-Ch MOSFETDescription Product SummeryThe WSD1614DN uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID to provide excellent RDS(ON), low gate charge 20V 230m 1.4A and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery Application protection or in other Switching application. Battery protectionLoad switchFeatures DFN1.0X0.6-3L P

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