WSD1614DN - описание и поиск аналогов

 

WSD1614DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD1614DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: DFN1.0X0.6-3L

Аналог (замена) для WSD1614DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD1614DN даташит

 ..1. Size:1508K  winsok
 wsd1614dn.pdf pdf_icon

WSD1614DN

WSD1614DN N-Ch MOSFET Description Product Summery The WSD1614DN uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID to provide excellent RDS(ON), low gate charge 20V 230m 1.4A and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery Application protection or in other Switching application. Battery protection Load switch Features DFN1.0X0.6-3L P

Другие MOSFET... TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , NCEP15T14 , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 , WSD2075DN .

History: DMN1002UCA6 | SN6F22NSF | STD30PF03L-1 | BR2N7002K2 | SM9992DSQG | FCP099N60E | PTW69N30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.