WSD1614DN - аналоги и даташиты транзистора

 

WSD1614DN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSD1614DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: DFN1.0X0.6-3L
 

 Аналог (замена) для WSD1614DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD1614DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1508K  winsok
 wsd1614dn.pdf pdf_icon

WSD1614DN

WSD1614DNN-Ch MOSFETDescription Product SummeryThe WSD1614DN uses advanced trench technology BVDSS RDSON ID to provide excellent RDS(ON), low gate charge 20V 230m 1.4A and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a Battery Application protection or in other Switching application. Battery protectionLoad switchFeatures DFN1.0X0.6-3L P

Другие MOSFET... TPWR8503NL , WSC15N10 , WSC40N06 , WSC5N20A , WSC60N03 , WSD100N06GDN56 , WSD1216DN22 , WSD14N10DNG , IRFP450 , WSD2012DN25 , WSD2018ADN22 , WSD2018BDN22 , WSD2018DN22 , WSD2050DN , WSD2054DN22 , WSD2068 , WSD2075DN .

History: SIHFP150 | STB55NF06-1 | VS3640AA | AP70T03GJB

 

 
Back to Top

 


 
.