2SK2207 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2207

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220F FM20

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2SK2207 datasheet

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2SK2207

2SK2207 External dimensions 1 ...... FM20 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 900 V V 900 V I = 100 A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 30 V I 100 nA V = 30V GSS GSS GS I 3I 100 A V = 900V, V = 0V D A DSS DS GS I 12 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA D (pulse) TH DS

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2SK2207

2SK2208 External dimensions 2 ...... FM100 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25 C) (Ta = 25 C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 900 V V 900 V I = 100 A, V = 0V DSS (BR) DSS D GS V 30 V I 100 nA V = 30V GSS GSS GS I 5I 100 A V = 900V, V = 0V D A DSS DS GS I 20 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA D (pulse) TH DS

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2SK2207

2SK2201 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2201 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance

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2SK2207

2SK2200 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2200 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance

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