2SK2207 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2207
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 Vtonⓘ - Tiempo de encendido: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F FM20
Búsqueda de reemplazo de 2SK2207 MOSFET
2SK2207 Datasheet (PDF)
2sk2207.pdf

2SK2207External dimensions 1 ...... FM20Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 900 V V 900 V I = 100A, V = 0VDSS (BR) DSS D GSV 30 V I 100 nA V = 30VGSS GSS GSI 3I 100 A V = 900V, V = 0VD A DSS DS GSI 12 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mAD (pulse) TH DS
2sk2208.pdf

2SK2208External dimensions 2 ...... FM100Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics(Ta = 25C) (Ta = 25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Unit Conditionsmin typ maxV 900 V V 900 V I = 100A, V = 0VDSS (BR) DSS D GSV 30 V I 100 nA V = 30VGSS GSS GSI 5I 100 A V = 900V, V = 0VD A DSS DS GSI 20 A V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mAD (pulse) TH DS
2sk2201.pdf

2SK2201 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2201 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance
2sk2200.pdf

2SK2200 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2200 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance
Otros transistores... 2SK2137 , 2SK2138 , 2SK2139 , 2SK2140 , 2SK2141 , 2SK2157 , 2SK2158 , 2SK2159 , 18N50 , 2SK2208 , 2SK2234 , 2SK2275 , 2SK2341 , 2SK2409 , 2SK2410 , 2SK2411 , 2SK2412 .



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