WSD45P10DN56 Todos los transistores

 

WSD45P10DN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSD45P10DN56
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

WSD45P10DN56 Datasheet (PDF)

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WSD45P10DN56

WSD45P10DN56P-Ch MOSFETDescription The WSF45P10DN56 uses advanced trenchBVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5ARDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and batterypowered systemsFeatures Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan

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History: IRFZ48VS | IRF7103PBF | STK28N3LLH5 | NVMFS020N06C | IPD12CN10NG | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25

 

 
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