WSD45P10DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WSD45P10DN56
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8
Аналог (замена) для WSD45P10DN56
WSD45P10DN56 Datasheet (PDF)
wsd45p10dn56.pdf

WSD45P10DN56P-Ch MOSFETDescription The WSF45P10DN56 uses advanced trenchBVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5ARDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and batterypowered systemsFeatures Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan
Другие MOSFET... WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , 20N60 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135