Справочник MOSFET. WSD45P10DN56

 

WSD45P10DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD45P10DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
 

 Аналог (замена) для WSD45P10DN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD45P10DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1415K  winsok
 wsd45p10dn56.pdf pdf_icon

WSD45P10DN56

WSD45P10DN56P-Ch MOSFETDescription The WSF45P10DN56 uses advanced trenchBVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5ARDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and batterypowered systemsFeatures Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan

Другие MOSFET... WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , 20N60 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.