WSD45P10DN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD45P10DN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD45P10DN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8

Аналог (замена) для WSD45P10DN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD45P10DN56 даташит

 ..1. Size:1415K  winsok
 wsd45p10dn56.pdf pdf_icon

WSD45P10DN56

WSD45P10DN56 P-Ch MOSFET Description The WSF45P10DN56 uses advanced trench BVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5A RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and battery powered systems Features Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan

Другие MOSFET... WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , 20N60 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 .

History: 2MI50S-050 | 2SK2549 | FDD6644 | WML15N65F2 | FDB3632

 

 

 

 

↑ Back to Top
.