WSD45P10DN56 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WSD45P10DN56
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8
Аналог (замена) для WSD45P10DN56
WSD45P10DN56 Datasheet (PDF)
wsd45p10dn56.pdf

WSD45P10DN56P-Ch MOSFETDescription The WSF45P10DN56 uses advanced trenchBVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5ARDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and batterypowered systemsFeatures Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan
Другие MOSFET... WSD4050DN , WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , IRF840 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 .
History: 2SK727 | FCMT125N65S3 | STL90N3LLH6 | AOL1428A | AOK125A60 | S40N14S | IRFIZ24N
History: 2SK727 | FCMT125N65S3 | STL90N3LLH6 | AOL1428A | AOK125A60 | S40N14S | IRFIZ24N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135