Справочник MOSFET. WSD45P10DN56

 

WSD45P10DN56 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD45P10DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8

 Аналог (замена) для WSD45P10DN56

 

 

WSD45P10DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1415K  winsok
 wsd45p10dn56.pdf

WSD45P10DN56 WSD45P10DN56

WSD45P10DN56P-Ch MOSFETDescription The WSF45P10DN56 uses advanced trenchBVDSS RDS(ON) ID technology and design to provide excellent -100V 62 m -27.5ARDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application Portable equipment and batterypowered systemsFeatures Super high dense cell design DFN5X6-8 Pin Configuration Advan

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top