WSD50P10ADN56 Todos los transistores

 

WSD50P10ADN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSD50P10ADN56
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WSD50P10ADN56 Datasheet (PDF)

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WSD50P10ADN56

WSD50P10ADN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10ADN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 62m -40Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10ADN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load

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WSD50P10ADN56

WSD50P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 40m -34Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10DN56 meet the RoHS and Power Management for Industrial

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History: SI2202 | SIHF10N40D | SL4813A | P3506DD

 

 
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