WSD50P10ADN56 - аналоги и даташиты транзистора

 

WSD50P10ADN56 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSD50P10ADN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для WSD50P10ADN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD50P10ADN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1499K  winsok
 wsd50p10adn56.pdf pdf_icon

WSD50P10ADN56

WSD50P10ADN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10ADN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 62m -40Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10ADN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load

 6.1. Size:2355K  winsok
 wsd50p10dn56.pdf pdf_icon

WSD50P10ADN56

WSD50P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 40m -34Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10DN56 meet the RoHS and Power Management for Industrial

Другие MOSFET... WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , WSD45P10DN56 , IRF540N , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 .

History: SM2305PSA | FDP050AN06A0 | AOB414 | MDS3652URH | WPM2015-MS | 2P821B | SSF6007

 

 
Back to Top

 


 
.