WSD50P10ADN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD50P10ADN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD50P10ADN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для WSD50P10ADN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD50P10ADN56 даташит

 ..1. Size:1499K  winsok
 wsd50p10adn56.pdf pdf_icon

WSD50P10ADN56

WSD50P10ADN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD50P10ADN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 62m -40A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10ADN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load

 6.1. Size:2355K  winsok
 wsd50p10dn56.pdf pdf_icon

WSD50P10ADN56

WSD50P10DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD50P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 40m -34A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10DN56 meet the RoHS and Power Management for Industrial

Другие MOSFET... WSD4062DN56 , WSD4066DN , WSD4070DN , WSD4080DN56 , WSD4098DN56 , WSD40N10GDN56 , WSD40P10DN56 , WSD45P10DN56 , IRF540N , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.