WSD50P10DN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSD50P10DN56
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSD50P10DN56
WSD50P10DN56 Datasheet (PDF)
wsd50p10dn56.pdf
WSD50P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 40m -34Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10DN56 meet the RoHS and Power Management for Industrial
wsd50p10adn56.pdf
WSD50P10ADN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10ADN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 62m -40Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10ADN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load
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