Справочник MOSFET. WSD50P10DN56

 

WSD50P10DN56 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD50P10DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для WSD50P10DN56

 

 

WSD50P10DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2355K  winsok
 wsd50p10dn56.pdf

WSD50P10DN56 WSD50P10DN56

WSD50P10DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10DN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 40m -34Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10DN56 meet the RoHS and Power Management for Industrial

 6.1. Size:1499K  winsok
 wsd50p10adn56.pdf

WSD50P10DN56 WSD50P10DN56

WSD50P10ADN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD50P10ADN56 is the highest BVDSS RDSON ID performance trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide -100V 62m -40Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD50P10ADN56 meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top