WSD80100DN56 Todos los transistores

 

WSD80100DN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSD80100DN56
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

WSD80100DN56 Datasheet (PDF)

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WSD80100DN56

WSD80100DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 80V 100A6.1mcharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo

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WSD80100DN56

WSD80120DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA

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History: SM7580NSF | ME7442D-G | HUFA75545P3 | FRS130R | IRF9362PBF | IXTY2N100P | IXTH27N40MB

 

 
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