WSD80100DN56 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSD80100DN56
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 125 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSD80100DN56
WSD80100DN56 Datasheet (PDF)
wsd80100dn56.pdf
WSD80100DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 80V 100A6.1mcharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo
wsd80120dn56.pdf
WSD80120DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA
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