Справочник MOSFET. WSD80100DN56

 

WSD80100DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD80100DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
 

 Аналог (замена) для WSD80100DN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD80100DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1374K  winsok
 wsd80100dn56.pdf pdf_icon

WSD80100DN56

WSD80100DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 80V 100A6.1mcharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo

 8.1. Size:3424K  winsok
 wsd80120dn56.pdf pdf_icon

WSD80100DN56

WSD80120DN56 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA

Другие MOSFET... WSD40P10DN56 , WSD45P10DN56 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , IRF1404 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 .

History: HY1906C2 | SSH5N90A | SML1001R3HN

 

 
Back to Top

 


 
.