WSD80100DN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD80100DN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD80100DN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8

Аналог (замена) для WSD80100DN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD80100DN56 даташит

 ..1. Size:1374K  winsok
 wsd80100dn56.pdf pdf_icon

WSD80100DN56

WSD80100DN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD80100DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 80V 100A 6.1m charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80100DN56 meet the RoHS and Green DC-DC converter switching fo

 8.1. Size:3424K  winsok
 wsd80120dn56.pdf pdf_icon

WSD80100DN56

WSD80120DN56 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD80120DN56 is the highest ID BVDSS RDSON performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide 85V 3.7m 120A excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD80120DN56 meet the RoHS and Green Product requirement,100% EA

Другие MOSFET... WSD40P10DN56 , WSD45P10DN56 , WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , IRF1404 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 .

History: WSD6040DN56 | HY5012W | WML9N90D1B | SWU10N65D | WMN13N50C4 | WMO05N80M3 | WMM08N70EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.