WSD90P06DN56 Todos los transistores

 

WSD90P06DN56 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSD90P06DN56

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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WSD90P06DN56 datasheet

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WSD90P06DN56

WSD90P06DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD90P06DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -60V 10.5m -90A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD90P06DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100%

Otros transistores... WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , IRFB4110 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G .

History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56

 

 

 

 

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