Справочник MOSFET. WSD90P06DN56

 

WSD90P06DN56 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSD90P06DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для WSD90P06DN56

 

 

WSD90P06DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  winsok
 wsd90p06dn56.pdf

WSD90P06DN56 WSD90P06DN56

WSD90P06DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD90P06DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -60V 10.5m -90Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD90P06DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100%

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top