WSD90P06DN56 - описание и поиск аналогов

 

WSD90P06DN56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSD90P06DN56

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для WSD90P06DN56

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD90P06DN56 даташит

 ..1. Size:987K  winsok
 wsd90p06dn56.pdf pdf_icon

WSD90P06DN56

WSD90P06DN56 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSD90P06DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -60V 10.5m -90A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD90P06DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100%

Другие MOSFET... WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , IRFB4110 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.