Справочник MOSFET. WSD90P06DN56

 

WSD90P06DN56 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSD90P06DN56
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для WSD90P06DN56

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSD90P06DN56 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  winsok
 wsd90p06dn56.pdf pdf_icon

WSD90P06DN56

WSD90P06DN56P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD90P06DN56 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -60V 10.5m -90Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSD90P06DN56 meet the RoHS and Green Product requirement , 100%

Другие MOSFET... WSD50P10ADN56 , WSD50P10DN56 , WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , IRF640N , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G .

History: PJM2319PSA | SM2300NSAN | STB4N62K3 | JCS12N65BT | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.