WSE3099 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSE3099
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: SOT89
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WSE3099 datasheet
wse3099.pdf
WSE3099 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli
wse3088.pdf
WSE3088 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSE3088 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 23m 7A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE3088 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous s P
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History: WSD2012DN25 | WSD3028DN
History: WSD2012DN25 | WSD3028DN
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