WSE3099 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSE3099
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.6 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT89
WSE3099 Datasheet (PDF)
wse3099.pdf
WSE3099 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli
wse3088.pdf
WSE3088 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE3088 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 23m 7Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSE3088 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous s P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
