WSE3099 - аналоги и даташиты транзистора

 

WSE3099 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSE3099
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для WSE3099

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSE3099 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  winsok
 wse3099.pdf pdf_icon

WSE3099

WSE3099 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli

 9.1. Size:993K  winsok
 wse3088.pdf pdf_icon

WSE3099

WSE3088 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE3088 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 23m 7Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSE3088 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous s P

Другие MOSFET... WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , 10N60 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 .

History: WMO80P04TS | STU442S | RFL1N18 | WSF28N06 | 3N80L-TN3-R | RXR035N03 | SFW9624

 

 
Back to Top

 


 
.