WSE3099 - описание и поиск аналогов

 

WSE3099. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSE3099

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для WSE3099

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSE3099 даташит

 ..1. Size:805K  winsok
 wse3099.pdf pdf_icon

WSE3099

WSE3099 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP3099 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 53m -5.0A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP3099 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reli

 9.1. Size:993K  winsok
 wse3088.pdf pdf_icon

WSE3099

WSE3088 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSE3088 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 23m 7A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE3088 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous s P

Другие MOSFET... WSD6040DN56 , WSD6056DN56 , WSD60N10GDN56 , WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , IRFP260N , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 .

History: VS4N65CD | 2N4003K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.