WSF07N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF07N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 170 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WSF07N10 MOSFET
WSF07N10 Datasheet (PDF)
wsf07n10.pdf
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wsf07n20.pdf
WSF07N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with
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